En electrónica y particularmente en el contexto de transistores de efecto de campo (FET), el término "Canal N" se refiere a un tipo específico de FET, conocido como FET de canal N. Un FET de canal N es un dispositivo semiconductor que utiliza un material de tipo N (material con exceso de electrones) como canal de conducción entre el terminal de drenaje y el terminal de fuente. Aquí está una explicación detallada del concepto de Canal N en transistores FET:
Estructura del transistor FET: Un transistor de efecto de campo (FET) es un tipo de transistor en el que la corriente entre el terminal de fuente y el terminal de drenaje se controla mediante el voltaje aplicado a una tercera terminal llamada terminal de compuerta. Un FET de canal N es uno de los dos tipos principales de FET, siendo el otro el FET de canal P.
Material de canal N: En un FET de canal N, el canal de conducción entre el terminal de fuente y el terminal de drenaje está formado por un material semiconductor de tipo N. En un material de tipo N, hay un exceso de electrones en la estructura cristalina, lo que le permite conducir la corriente eléctrica cuando se aplica un voltaje adecuado.
Funcionamiento básico: Cuando se aplica un voltaje positivo entre el terminal de fuente y el terminal de drenaje, se crea un campo eléctrico en el material de canal N. Al aplicar un voltaje adecuado a la terminal de compuerta, se forma una región de agotamiento en el canal cerca de la superficie, controlando así el flujo de corriente entre el terminal de fuente y el terminal de drenaje. Cuando la tensión en la terminal de compuerta aumenta, la región de agotamiento se amplía y el flujo de corriente se reduce.
Aplicaciones: Los transistores FET de canal N tienen muchas aplicaciones en electrónica. Son ampliamente utilizados en amplificadores, conmutación de señales y diseño de circuitos integrados. Debido a su alta impedancia de entrada, los FET de canal N son útiles en aplicaciones donde se requiere una entrada de señal de baja corriente, como en amplificadores de alta impedancia.
Ventajas y desventajas: Una ventaja importante de los FET de canal N es que tienen una alta impedancia de entrada, lo que significa que la corriente que fluye hacia la compuerta es muy pequeña. Esto los hace adecuados para aplicaciones de amplificación de señales débiles. Sin embargo, también tienen ciertas limitaciones, como la susceptibilidad a daños electrostáticos y la necesidad de protección contra descargas eléctricas.
Símbolo y notación: En los diagramas esquemáticos, un FET de canal N se representa con un símbolo específico que incluye las terminales de fuente, drenaje y compuerta. El símbolo suele estar etiquetado para indicar si es un FET de canal N o canal P.
En resumen, un FET de canal N es un tipo de transistor de efecto de campo en el que el canal de conducción está formado por un material semiconductor de tipo N. Este tipo de FET se utiliza en una variedad de aplicaciones electrónicas y es especialmente útil en circuitos que requieren alta impedancia de entrada y amplificación de señales débiles.
1.- Cabeza magnética
2.- Cabezal
3.- Cable blindado
4.- Cable coaxial
5.- Cable submarino
7.- Caché
8.- CAD
9.- Cadena
10.- CAE
11.- Caja acústica
13.- Calibración
14.- CAM
15.- Cámara anecoica
16.- Cámara de televisión
17.- Cámara Reverberante
18.- Campo
19.- Campo cercano
20.- Campo de radiación
21.- Campo eléctrico
23.- Campo libre
24.- Campo magnético
25.- Campo magnético de la tierra
27.- Canal
28.- Canal de audio
29.- Canal de luminancia
30.- Canal de televisión
31.- Canal duplex
32.- Canal N
33.- Canal P
34.- Canal semidúplex
37.- Capa E
38.- Capa F
39.- Capacidad de almacenamiento
40.- Capacímetro
41.- Caracter
42.- Carga
43.- Carga elemental
44.- Carga espacial
45.- Carga inducida
46.- Carga lenta
47.- Carga rápida
48.- Carga residual
49.- Cargador
50.- Cargador USB
51.- Cargador de baterias
52.- Cargador de pilas recargables
53.- Cargador de pared
55.- Cargador inalámbrico
56.- Cargador portátil
57.- Cargador solar
59.- Cargador de carga inalámbrica rápida
60.- Cargador inteligente
61.- Carga resistiva
62.- Cascode
63.- Cassette
64.- Cátodo
65.- Cavidad
66.- CCD
67.- CCIR
68.- CCITT
69.- Célula fotoeléctrica
70.- Célula fotovoltaica
71.- Célula primaria
72.- Celular o móvil
73.- Célula solar
74.- Centro de banda
75.- Ciclo de trabajo
76.- Circuito abierto
78.- Circuito de colector común
80.- Circuito amplificador de fuente común
81.- Circuito amplificador de drenador común
82.- Circuito amplificador de compuerta común
83.- Circuito de retardo
84.- Circuito electrónico
85.- Circuito astable
87.- Circuito impreso PCB
88.- Circuito capacitivo
89.- Circuito inductivo
91.- Circuito Integrado de microondas MIC
92.- Circuito Integrado digital
93.- Circuito Integrado lineal
94.- Circuito resonante
95.- Circuito secundario
96.- Circuito sintonizado
97.- Circuito trifásico
98.- Circuito Cerrado de Televisión CCTV
99.- Circuito cerrado
100.- Circuito de lazo cerrado
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